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产品展示
| IPD530N15N3G |
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| 【产品名称】 IPD530N15N3G |
| 【产品类别】 集成电路 |
| 【市 场 价】 9.6 |
| 【本 站 价】 7.8 |
| 【产品用途】 |
| 【产品规格】 |
| 【生产厂家】 |
| 【产品说明】 晶体管 MOSFET 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TO-252-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 150 V Id-连续漏极电流: 21 A Rds On-漏源导通电阻: 44 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V Qg-栅极电荷: 12 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 175 C Pd-功率耗散: 68 W 通道模式: Enhancement 商标名: OptiMOS 封装: Reel 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 商标: Infineon Technologies 配置: Single 下降时间: 3 ns 正向跨导 - 最小值: 11 S 高度: 2.3 mm 长度: 6.5 mm 产品类型: MOSFET 上升时间: 9 ns |
| 【更新时间】 2022/8/10 11:44:04 |
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